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Intel stellt ZAM-Speicher als HBM-Rivalen vor: Bis zu 512 GB Kapazität

Intel präsentiert den Prototypen des Z-Angle Memory (ZAM). Die Architektur verspricht geringeren Stromverbrauch, besseres Wärmemanagement und enorme Kapazitäten.


12.02.2026 13:53|0|151|Google News
Intel stellt ZAM-Speicher als HBM-Rivalen vor: Bis zu 512 GB Kapazität

Intel hat einen bemerkenswerten Schritt auf dem Speichermarkt gewagt, in dem das Unternehmen seit vielen Jahren nicht mehr direkt vertreten war. Zusammen mit Saimemory, einer Tochtergesellschaft von SoftBank, präsentierte das Unternehmen erstmals einen funktionierenden Prototyp der Z-Angle Memory-Technologie (ZAM). Bei der Präsentation auf der Veranstaltung Intel Connection Japan 2026 wurde betont, dass die neue Architektur darauf abzielt, insbesondere die thermischen und leistungsspezifischen Einschränkungen bestehender Lösungen zu überwinden.

Intel stellt ZAM-Speicher als HBM-Rivalen vor: Bis zu 512 GB Kapazität

Was ändert die Z-Angle-Architektur?

Nach den von Intel geteilten technischen Informationen ist das markanteste Merkmal von ZAM die Verwendung einer diagonalen Verbindungstopologie, im Gegensatz zu klassischen HBM-Designs (High Bandwidth Memory). Während Verbindungen in herkömmlichen Stack-Speicher-Designs meist vertikal zwischen den Schichten verlaufen, leitet die Z-Angle-Architektur diese Verbindungen diagonal innerhalb des Stapels. Der Name leitet sich direkt von dieser speziellen Designform ab.


Hauptziel dieses Ansatzes ist es, sowohl die Effizienz der Datenübertragung zu steigern als auch die Wärmeableitung zu verbessern. Laut Intel wird der größte Gewinn in der verbesserten thermischen Leistung liegen. Bei vertikal gestapelten Lösungen wie HBM erzeugten die zunehmende Bandbreite und Dichte bisher erhebliche thermische Belastungen. Das Z-Angle-Design soll dieses Problem entschärfen.

Beeindruckende Potenziale

Intel stellt ZAM-Speicher als HBM-Rivalen vor: Bis zu 512 GB Kapazität

Basierend auf den ersten technischen Erwartungen, die auf der Veranstaltung geteilt wurden, sind die potenziellen Vorteile von ZAM beachtlich. Nach Prognosen von Intel und seinen Partnern könnte der neue Speicheransatz einen um 40 bis 50 Prozent geringeren Stromverbrauch bieten. Dank der Z-Angle-Verbindungen könnte ein einfacherer Herstellungsprozess möglich sein, und es könnte eine Kapazität von bis zu 512 GB auf einem einzigen Chip erreicht werden.


Sollten sich diese Zahlen bestätigen, könnte ZAM nicht nur in Bezug auf die Energieeffizienz, sondern auch in Rechenzentren und KI-orientierten Hochkapazitätssystemen zu einer wichtigen Alternative werden.


Andererseits ist die technische und operative Rolle von Intel in dem Projekt noch nicht in allen Einzelheiten geklärt. Laut den auf der Veranstaltung geteilten Marketingmaterialien ist das Unternehmen jedoch für die Erstinvestition und die strategischen Entscheidungsprozesse verantwortlich. Dies zeigt, dass Intel nicht nur einen symbolischen, sondern einen richtungsweisenden Beitrag zu dem Projekt leistet.

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